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CVD管式爐設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)生產(chǎn),CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外,現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè),包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。
查看詳細(xì)介紹PECVD系統(tǒng)配置:1.1200度開啟式雙溫區(qū)真空管式爐2.等離子射頻電源3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)4.真空系統(tǒng)(可選配中真空或高真空)
查看詳細(xì)介紹CVD管式爐設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)生產(chǎn),CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外,現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè),包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。
查看詳細(xì)介紹PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。
查看詳細(xì)介紹產(chǎn)品用途:此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)真空淬火退火,快速降溫等工藝實(shí)驗(yàn)。
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